<汇港通讯> 据报道，南韩检方起诉5名三星电子前员工，涉嫌对华外泄晶片技术，并起诉中国长鑫存储研发团队的5名员工。
韩联社报道，首尔中央地方检察厅信息科技犯罪侦查部通报，以涉嫌违反《防止不正当竞争及商业秘密保护法》、《产业技术保护法》对5名三星前员工提起逮捕起诉，并以相同罪名对长鑫存储研发团队5名员工提起不逮捕起诉。
检方调查显示，长鑫储存成立後立即聘请三星前部长A某担任研发室长。为取得三星独有的10纳米级DRAM(动态随机存取储器)工艺技术，A某牵头招募各核心工序技术骨干。过程中，三星前研究员B某将DRAM工艺核心技术PRP(制程配方)亲笔抄录後带离公司，随後跳槽至长鑫储存。此举让长鑫储存完整掌握当时全球唯一的10纳米级DRAM全套工艺技术。
检方进一步查明，长鑫储存在吸收多名三星前员工後，正式启动DRAM研发。研发期间，还通过合作商额外取得SK海力士的半导体工艺相关技术。在掌握韩企两大核心半导体技术後，长鑫储存最终於2023年实现10纳米级DRAM量产，成为中国首家、全球第4家掌握此技术的企业。
检方指出，这项技术外泄事件导致南韩核心产业技术流失，造成巨额经济损失。据检方基於全球市场份额变化的推算，三星2024年销售额减少5万亿韩圜(约267亿港元)。若加上事件对南韩整体经济的後续负面影响，总损失额至少达数十亿韩圜。
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